SiCパワーデバイス市場調査レポート、規模とシェア、成長機会、及び傾向洞察分析―デバイス種別、定格電圧別、アプリケーション別、最終用途産業別、パッケージ形態別、及び地域別―世界市場の見通しと予測 2026－2035年

SiCパワーデバイス市場分析

SiCパワーデバイスとは何ですか？

炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、高電圧電力を効率的に制御する先進的な半導体です。シリコンと炭素から作られており、従来のシリコンよりも高い温度と周波数で動作するため、電気自動車のインバーター、再生可能エネルギーシステム、産業用電力網などの効率を向上させます。 

SiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）における最近の傾向は何ですか？

弊社のSiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）分析調査レポートによると、以下の市場傾向と要因が市場成長の主要な推進力として貢献すると予測されています。

• 再生可能エネルギーと蓄電の拡大 -

弊社の調査レポートによると、再生可能エネルギーとグリッド規模の蓄電の拡大が、インバーターやコンバーターにおけるSiCデバイスの需要を牽引しています。

例えば、米国エネルギー情報局は2025年2月に、米国では2025年に63GWの新たな公益事業規模の発電容量が見込まれると述べており、その中には32.5GWの太陽光発電と18.2GWの蓄電池が含まれるが、これらはいずれもインバーターに依存する技術であります。

さらに、中国では、国家エネルギー局が2024年に373百万kWの再生可能エネルギー容量が追加され、総設備容量が18.89億kWに達すると発表しました。

これらのシステムでは、大規模な高効率スイッチングが求められており、SiCデバイスは高電圧変換における損失を低減するため、世界中で需要がさらに高まっています。

• EVパワートレインの電動化 –

市場見通しが示唆するように、電気自動車の規模拡大は、トラクションインバーターや車載充電器におけるSiCパワーデバイスの需要増加を促進します。

例えば、国際エネルギー機関（IEA）は、世界の電気自動車販売台数が2023年に14百万台に達し、2024年も着実に増加していくと述べています。この販売台数の増加は、高出力インバーターの需要増につながり、効率と熱性能の向上を目指して、シリコンIGBTに代わってSiC MOSFETが使用されるようになります。

さらに、EVプラットフォームは、高電圧におけるスイッチング効率の優位性から、SiCを中心としたインバータアーキテクチャを積極的に再設計しており、これが市場の力強い拡大にさらに貢献しています。

SiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）は、日本の市場参入企業にどのようなメリットをもたらすのは何ですか？

日本のSiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）は、国内市場プレーヤーにとって、自動車及び高効率産業アプリケーションにおけるリーダーシップを確固たるものにするための戦略的な道筋を提供するとともに、国内サプライチェーンの強化にもつながる、力強い成長が見込まれます。この市場は、政府による半導体投資、電気自動車の急速な普及、世界の半導体市場の傾向、再生可能エネルギーの拡大といった要因によって牽引されています。

この事実を裏付けるように、世界経済フォーラムの2023年報告書によると、日本では半導体は経済安全保障の重要な資源として位置づけられており、そのため日本政府は国内半導体生産の強化に2兆円を投じる計画を立てています。 この資金は、研究開発、製造工場の建設、サプライチェーンの強靭性を支援するものであり、SiCメーカーに直接的な利益をもたらします。

経済産業省の2024年報告書によると、日本では2035年までに新車の乗用車販売を電動化することで、国全体が電動化される見込みます。SiCデバイスはEVインバーターや急速充電システムに不可欠であり、エネルギー損失を低減し、航続距離を向上させます。

SiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）に影響を与える主な制約要因は何ですか？

代替技術との競争激化は、世界のSiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）の成長にとって大きな脅威となる可能性があります。窒化ガリウム（GaN）デバイスは、特に民生用電子機器などの特定のアプリケーションにおいて、より安価な代替品として台頭しつつあります。一方、シリコンベースのソリューションは、低コストと確立されたサプライチェーンのおかげで、多くの分野で依然として優位性を保っており、SiCへの移行を遅らせています。

競争力ランドスケープ

SDKI Analyticsの調査者によると、SiCパワーデバイスの市場見通しは、大企業と中小企業といった規模の異なる企業間の競争により、細分化されています。調査報告書によると、市場参加者は、製品や技術の発表、戦略的パートナーシップ、コラボレーション、買収、事業拡大など、あらゆる機会を活用して、市場全体の見通しにおいて競争優位性を獲得しようとしています。

SiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）で事業を展開する主要な世界の企業はどれですか？

弊社の調査レポートによると、世界のSiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）の成長において重要な役割を担う主要企業には、Wolfspeed（Cree Inc.）、ON Semiconductor、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Microchip Technologyなどが含まれます。

SiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）で競合する主要な日本企業はどれですか？

市場見通しによると、日本のSiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）の上位5社は、ROHM Co., Ltd.、 Toshiba Electronic Devices & Storage、Fuji Electric、 Showa Denko K.K. (Resonac)、Tokai Carbon Co., Ltdなどであります。

この市場調査レポートには、世界のSiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）分析調査レポートにおける主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の傾向、及び主要な市場戦略が含まれています。

SiC Power Device Market (SiCパワーデバイス市場）における最新のニュースや傾向は何ですか？

• 2024年1月 – Infineon TechnologiesとWolfspeedは、長期にわたるSiCウェハー供給契約を拡大し、複数年にわたる供給能力を確保するとともに、サプライチェーンを強化し、電気自動車、再生可能エネルギー、及びエネルギー関連アプリケーションにおける高効率SiCパワーデバイスへの需要の高まりに対応します。
• 2025年4月 – Mitsubishi Electricは、新しいSiC MOSFETチップを使用したフルSiC及びハイブリッドSiC SLIMDIPモジュールを発表しました。これにより、エネルギー効率の高い民生用電子機器向けに、高効率化、電力損失の低減、小型化を実現したインバータソリューションを提供します。