炭化ケイ素デバイス市場調査レポート、規模とシェア、成長機会、及び傾向洞察分析― デバイスタイプ別、製品形態別、ウェーハサイズ別、電圧範囲別、アプリケーション別、及び地域別―世界市場の見通しと予測 2026－2035年

炭化ケイ素デバイス市場分析

炭化ケイ素デバイスとは何ですか？

炭化ケイ素デバイスは、シリコーンと炭素原子の化合物から作られるパワー半導体の一種です。広いバンドギャップ、高い耐圧、優れた熱伝導率、高速なスイッチング速度、そして高い電力密度といった特長を備えています。SiCデバイスの応用分野は、電気自動車、再生可能エネルギー、産業、航空宇宙など多岐にわたります。

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)における最近の傾向は何ですか？

当社のSilicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)分析調査レポートによると、以下の市場傾向と要因が市場成長の主要な推進力として貢献すると予測されています。

• モビリティの電動化 –

現在、内燃機関車（ICE）から電気自動車への世界的な移行が進む中、シリコンカーバイド（SiC）デバイスの需要が高まっています。SiCデバイスは、従来のシリコン半導体に比べて、より高い電圧、温度、スイッチング周波数に対応できるためです。SiCデバイスは、トラクションインバータ、車載充電器、DC-DCコンバータなどにますます組み込まれており、現代のEVアーキテクチャに不可欠な存在となっています。

国際エネルギー機関（IEA）の「Global EV Outlook 2025」によると、2024年には世界全体で1.3百万基以上の公共充電設備が新たに追加され、これは2023年の数値を30%上回るものでした。EVのアーキテクチャが高電圧化や性能の最適化に向けて進化する中、SiC（炭化ケイ素）の採用は、高級車にとどまらず、より幅広い普及価格帯の車種（メインストリームセグメント）へと拡大していくです。

• 世界的なエネルギー転換と再生可能エネルギーの統合 ―

太陽光や風力といった再生可能エネルギーへの世界的な移行は、発電と送配電システムを急速に変革しつつあります。こうした変化は、変動性や分散化、そして電力変換に対するより高度な要件をもたらしており、その結果、先進的な半導体ソリューションが不可欠となっています。

さらに、国際エネルギー機関（IEA）の報告によれば、太陽光発電の設備容量は2027年までに石炭火力の容量を上回り、1,500GWに達する見通しです。こうした傾向は、炭化ケイ素（SiC）デバイスの採用を後押しする要因となっています。

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)は、日本の市場参入企業にどのようなメリットをもたらすのか？

日本の炭化ケイ素（SiC）市場は急成長が見込まれており、エネルギー効率に優れたパワーエレクトロニクス分野で世界的な優位性を確保する上で極めて重要な役割を担っています。この市場の直接的な成長要因としては、エネルギー効率化や電動化、EV（電気自動車）の普及に関する政策的優先順位、政府による半導体産業振興策、そして再生可能エネルギーや電力インフラの急拡大などが挙げられます。

世界経済フォーラムの2023年の報告書によると、日本では半導体が経済安全保障上の重要資源と位置づけられており、政府は国内の半導体生産能力を強化するために2兆円規模の予算を投じる計画を立てています。この補助金は、製造拠点（ファブ）の設備投資負担を軽減し、国内サプライチェーンの構築と現地化を促進することで、SiCパワー半導体の生産を支援するものです。

さらに、世界的なEV販売の拡大に加え、OECDの気候変動目標に整合した政策が推進されていることから、日本の市場シェアも急拡大すると予想されています。こうした動きもまた、Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)の成長を後押ししています。

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)に影響を与える主な制約要因は何ですか？

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)の調査見通しによると、規制と環境コンプライアンスの複雑さは、市場の成長を阻害する大きな要因の一つとなっています。厳格な環境、安全、半導体規制により、コンプライアンス負担が増大し、運用コストが約20－22%増加し、製品承認が約6ヶ月遅れることになります。さらに、規制の違いが国境を越えた事業拡大を妨げています。

競争力ランドスケープ

SDKI Analyticsの調査員によると、Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)の見通しは、大企業と中小企業といった規模の異なる企業間の市場競争により、細分化されています。調査報告書によると、市場参加者は、製品や技術の発表、戦略的提携、協力、買収、事業拡大など、あらゆる機会を活用して、市場全体の見通しにおいて競争優位性を獲得しようとしています。

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)で事業を展開する主要なグローバル企業はどれですか？

当社の調査レポートによると、世界のSilicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)の成長において重要な役割を担う主要企業には、 Wolfspeed, Inc.、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies AG、Microchip Technology Inc. などが含まれます。

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)で競合する主要な日本企業はどれですか？

市場見通しによると、日本のSilicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)の上位5社は、ROHM Co., Ltd.、Fuji Electric Co., Ltd.、Mitsubishi Electric、Toshiba Electronic Devices & Storage、Sumitomo Electric Industries などであります。

この市場調査レポートには、世界のSilicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)分析調査レポートにおける主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の傾向、と主要な市場戦略が含まれています。

Silicon Carbide Device Market(炭化ケイ素デバイス市場)における最新のニュースや開発は何ですか？

• 2024年1月 – Infineonは、Wolfspeedとの炭化ケイ素ウェハーに関するパートナーシップを延長・拡大し、長期的な供給安定性を強化するとともに、電気自動車、再生可能エネルギー、産業用電力アプリケーションからの需要増加に対応します。
• 2024年1月 – Mitsubishi Electricは、電気自動車とプラグインハイブリッド車向けにJ3シリーズSiCパワーモジュールを発表しました。これにより、より小型、軽量、高効率なトラクションインバーターを実現し、航続距離の延長を可能にします。